- Jess***Jones
- 2026/04/17
Arkusze danych
STx7N52DK3.pdfPCN przestarzałe/ eol
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdfMontaż/pochodzenie PCN
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdfSTD7N52DK3 Specyfikacje techniczne
STMicroelectronics - STD7N52DK3 Specyfikacje techniczne, atrybuty, parametry i części o podobnych specyfikacjach do STMicroelectronics - STD7N52DK3
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu | |
|---|---|---|
| Producent | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA | |
| Vgs (maks.) | ±30V | |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Dostawca urządzeń Pakiet | DPAK | |
| Seria | SuperFREDmesh3™ | |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 1.15Ohm @ 3A, 10V | |
| Strata mocy (max) | 90W (Tc) | |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) |
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu | |
|---|---|---|
| temperatura robocza | 150°C (TJ) | |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 870 pF @ 50 V | |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| Rodzaj FET | N-Channel | |
| Cecha FET | - | |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 525 V | |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) | |
| Podstawowy numer produktu | STD7 |
| ATRYBUT | OPIS |
|---|---|
| Status RoHs | ROHS3 zgodne |
| Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Osiągnąć status | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Trzy części po prawej mają podobne specyfikacje jak STMicroelectronics STD7N52DK3.
| Atrybut produktu | ||||
|---|---|---|---|---|
| Part Number | STD7N52K3 | STD7N65M2 | STD7N60M2 | STD78N75F4 |
| Producent | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Pakiet | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Package / Case | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Rodzaj FET | - | - | - | - |
| temperatura robocza | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Vgs (maks.) | - | - | - | - |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | - | - | - | - |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | - | - | - | - |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | - | - | - | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | - | - | - | - |
| Podstawowy numer produktu | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Seria | - | - | - | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Strata mocy (max) | - | - | - | - |
| Cecha FET | - | - | - | - |
| Rodzaj mocowania | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Technologia | - | - | - | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
Pobierz arkusze danych STD7N52DK3 PDF i dokumentację STMicroelectronics dla STD7N52DK3 - STMicroelectronics.
STD728STMicroelectronics
STD7N52K3 STSTMicroelectronics
STD7N60STMicroelectronics
STD7N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 6A DPAK
STD7N60M6STMicroelectronicsDISCRETE
STD70R1K3SSTMicroelectronicsDISCRETE
STD75N3LLH6 MOSSTMicroelectronics
STD7N65M6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5A DPAKTwój adres e -mail nie zostanie opublikowany.
| Wspólne kraje Logistyczne odniesienie czasu | ||
|---|---|---|
| Region | Kraj | Czas logistyczny (dzień) |
| Ameryka | Stany Zjednoczone | 5 |
| Brazylia | 7 | |
| Europa | Niemcy | 5 |
| Zjednoczone Królestwo | 4 | |
| Włochy | 5 | |
| Oceania | Australia | 6 |
| Nowa Zelandia | 5 | |
| Azja | Indie | 4 |
| Japonia | 4 | |
| Bliski Wschód | Izrael | 6 |
| Opłaty za wysyłkę DHL i Fedex | |
|---|---|
| Opłaty za wysyłkę (kg) | Odniesienie DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
Chcesz lepszą cenę? Dodaj do wózka i Prześlij RFQ Teraz skontaktujemy się z Tobą natychmiast.