- Jess***Jones
- 2026/04/17
Arkusze danych
2SK2887.pdf2SK2887TL Specyfikacje techniczne
Rohm Semiconductor - 2SK2887TL Specyfikacje techniczne, atrybuty, parametry i części o podobnych specyfikacjach do Rohm Semiconductor - 2SK2887TL
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu | |
|---|---|---|
| Producent | LAPIS Technology | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Vgs (maks.) | ±30V | |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Dostawca urządzeń Pakiet | CPT3 | |
| Seria | - | |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 900mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Strata mocy (max) | 20W (Tc) | |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) |
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu | |
|---|---|---|
| temperatura robocza | 150°C (TJ) | |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 230 pF @ 10 V | |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V | |
| Rodzaj FET | N-Channel | |
| Cecha FET | - | |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 200 V | |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) | |
| Podstawowy numer produktu | 2SK2887 |
| ATRYBUT | OPIS |
|---|---|
| Status RoHs | ROHS3 zgodne |
| Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Osiągnąć status | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
Trzy części po prawej mają podobne specyfikacje jak Rohm Semiconductor 2SK2887TL.
| Atrybut produktu | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Part Number | 2SK2887TL | 2SK2883(TE24L,Q) | 2SK2883 MOS | 2SK2897 |
| Producent | Rohm Semiconductor | Toshiba Semiconductor and Storage | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora | FUJI |
| Rodzaj FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| Podstawowy numer produktu | 2SK2887 | 2SK2883 | - | - |
| temperatura robocza | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet | CPT3 | TO-220SM | - | - |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 200 V | 800 V | - | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | - |
| Strata mocy (max) | 20W (Tc) | 75W (Tc) | - | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 900mOhm @ 1.5A, 10V | 3.6Ohm @ 1.5A, 10V | - | - |
| Cecha FET | - | - | - | - |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| Vgs (maks.) | ±30V | ±30V | - | - |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 230 pF @ 10 V | 750 pF @ 25 V | - | - |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | - | - |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) | 3A (Ta) | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | - | - |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - |
| Seria | - | - | - | - |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
Pobierz arkusze danych 2SK2887TL PDF i dokumentację Rohm Semiconductor dla 2SK2887TL - Rohm Semiconductor.
2SK2897FUJI
2SK2897-01MRFUJI
2SK2885AHITACHI
2SK2896-01SFUJI
2SK2899(0)-ZK-E1-AYRenesas Electronics Corporation
2SK2890-01FUJI
2SK2897-01 MOSFujitsu Electronics America, Inc.
2SK2895-01FUJITwój adres e -mail nie zostanie opublikowany.
| Wspólne kraje Logistyczne odniesienie czasu | ||
|---|---|---|
| Region | Kraj | Czas logistyczny (dzień) |
| Ameryka | Stany Zjednoczone | 5 |
| Brazylia | 7 | |
| Europa | Niemcy | 5 |
| Zjednoczone Królestwo | 4 | |
| Włochy | 5 | |
| Oceania | Australia | 6 |
| Nowa Zelandia | 5 | |
| Azja | Indie | 4 |
| Japonia | 4 | |
| Bliski Wschód | Izrael | 6 |
| Opłaty za wysyłkę DHL i Fedex | |
|---|---|
| Opłaty za wysyłkę (kg) | Odniesienie DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
Chcesz lepszą cenę? Dodaj do wózka i Prześlij RFQ Teraz skontaktujemy się z Tobą natychmiast.